Учёные из Массачусетского технологического института (MIT) и их коллеги разработали новую технологию интеграции транзисторов из нитрида галлия (GaN) непосредственно на кремниевые чипы, что может привести к созданию более мощных и энергоэффективных беспроводных передатчиков и другой электроники нового поколения.
Нитрид галлия — это полупроводниковый материал, который превосходит кремний по работе с высокими температурами, напряжениями и токами. Именно поэтому GaN уже используется в современных зарядках для ноутбуков и смартфонов, а также считается перспективным для высокочастотных и мощных устройств. Однако полностью GaN-чипы дороги в производстве, что ограничивает их массовое применение.
Новая методика MIT позволяет размещать миниатюрные GaN-транзисторы (размером всего 0,24 × 0,41 мм) прямо на стандартных кремниевых чипах с помощью низкотемпературного медного соединения. Это снижает стоимость, так как используется лишь небольшое количество дорогого материала, и позволяет избежать сложных и дорогих процессов, связанных с золотом и высокими температурами. В результате получаются гибридные чипы, сочетающие высокую скорость и энергоэффективность GaN с вычислительной мощностью кремния.
Испытания показали, что такие чипы могут усиливать сигналы эффективнее традиционных кремниевых решений. Это открывает путь к созданию более мощных и компактных усилителей для смартфонов, Wi-Fi и Bluetooth-устройств, что улучшит качество связи, увеличит пропускную способность и продлит время работы от батареи.
Индустрия уже заинтересовалась этой разработкой, ведь традиционные кремниевые технологии практически достигли своих физических пределов, а спрос на более быстрые и мощные устройства только растёт. Вполне возможно, что в ближайшем будущем ваши гаджеты будут работать на таких гибридных чипах, обеспечивая стабильную связь и высокую производительность.
Источник: trashbox.ru