Как сообщает TrendForce со ссылкой на целый ряд различных источников, роль оборудования для экспозиции фотомасок в производстве кремниевых чипов переоценена, и в обозримом будущем особое значение обретут технологии травления кремниевых пластин. По сути. «вертикальная» структура чипа станет важнее способности производителя масштабировать плотность размещения транзисторов в горизонтальном измерении. Компоновка транзисторов в виртуальном измерении будет определяться преимущество оборудованием и материалами для травления пластин, а не литографическими сканерами.
Данную точку зрения якобы даже разделяют некие руководители Intel, хотя эта компания в последние годы делала серьёзную ставку на внедрение передового литографического оборудования типа High-NA EUV. Не исключено, что по схожим соображениям TSMC в рамках техпроцесса A14 воздержится от внедрения таких литографических сканеров, и это позволит компании сэкономить миллиарды долларов США на закупках оборудования. Впрочем, задержка будет не столь существенной, поскольку в рамках техпроцесса A14P тайваньский гигант всё же может прибегнуть к технологии High-NA EUV. Не спешит внедрять её и южнокорейская Samsung Electronics.
Источник: overclockers.ru