Отечественным специалистам удалось стабилизировать гексагональный кремний. Новый материал повышает проводимость и эффективность транзисторов, открывая новые горизонты для российской микроэлектроники.
Ученые Университета Лобачевского разработали пленку, содержащую кремний в гексагональной фазе. Новый материал способен увеличить эффективность транзисторов, обеспечивая больший ток при снижении напряжения питания. Это открытие способствует улучшению характеристик ключевых компонентов интегральных схем и повышению производительности микропроцессоров, говорится на официальном сайте Десятилетия науки и технологий в России.
Кремний в гексагональной фазе обладает уникальной кристаллической структурой, благодаря которой значительно возрастает проводимость материала в определенных направлениях. Это способствует увеличению электрического тока. Есть одно «но»: подобные структуры традиционно нестабильны и легко переходят в обычную форму кремния. Отечественным ученым удалось успешно стабилизировать гексагональную фазу, открывая перспективу широкого промышленного применения гексагонального кремния, уточняет доцент кафедры квантовых и нейроморфных технологий физического факультета Университета Лобачевского Антон Конаков.
Новый материал получают путем выращивания на подложке из обычного кремния с последующим нанесением верхнего слоя германия. Между ними образуется сплошной и равномерный слой кремния в гексагональной фазе. Эта технология позволяет создавать пленки, пригодные для покрытия больших участков микросхем с множеством контактов. Ученые намерены оптимизировать и масштабировать свою разработку для дальнейшего внедрения ее в российскую промышленность кремниевой микроэлектроники.
Источник: hi-tech.mail.ru