На выставке Computex 2025 компания InnoGrit представила твердотельный накопитель N3X, который позиционируется как преемник технологии Intel Optane. Этот SSD, оснащённый контроллером InnoGrit Tacoma IG5669 и вторым поколением постоянной памяти XL-Flash, работающей в режиме SLC, впечатляет рекордно низкими задержками и высокой производительностью, достигая 3,5 млн IOPS.
Накопитель InnoGrit N3X предназначен для корпоративных рабочих нагрузок, чувствительных к задержкам памяти и требующих максимальной надёжности. Контроллер IG5669 соответствует протоколу NVMe 2.0 и поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x4. N3X обеспечивает постоянную скорость последовательного чтения до 14 Гбайт/с и постоянную скорость записи до 12 Гбайт/с. Однако настоящей звездой является производительность в операциях случайного чтения до 3,5 млн IOPS и случайной записи на уровне 700 тыс. IOPS.
Ключевой особенностью InnoGrit N3X, выделяющей его на фоне обычных и даже других корпоративных SSD, является рекордно низкий уровень задержки. Задержка при чтении составляет менее 13 мкс, что значительно лучше по сравнению с обычными SSD на чипах 3D TLC NAND, где задержка составляет порядка 50–100 мкс. Задержка при записи у новинки составляет всего 4 мкс (против 200–400 мкс у 3D TLC NAND).
Эти показатели делают InnoGrit N3X особенно полезным для таких применений, как кэширование, вычисления для ИИ, вычисления в оперативной памяти и аналитика в реальном времени, где каждая микросекунда имеет значение.
Накопитель InnoGrit N3X предлагает объёмы от 400 Гбайт до 3,2 Тбайт (в конфигурациях от 32 до 256 микросхем памяти). Рейтинг долговечности также впечатляет: 50 DWPD (полных циклов перезаписи в день) в течение 5 лет. Это значительно превышает стандартные уровни долговечности корпоративных твердотельных накопителей на базе NAND, делая его идеальным для задач с интенсивным использованием записи, таких как кэширование, а также передача данных, где долговечность и стабильная производительность имеют решающее значение.
InnoGrit считает, что её партнёры могли бы создавать SSD на базе чипов памяти XL-Flash и контроллера IG5669 в форм-факторах U.2 или E3.S для серверов, а также в форматах карт расширения для настольных рабочих станций и высокопроизводительных ПК.
XL-Flash от Kioxia — это высокопроизводительная технология NAND, разработанная для преодоления разрыва в задержках между DRAM и обычной флеш-памятью. Это делает её жизнеспособным решением в качестве постоянной памяти для корпоративных задач, где требуется память с высокой отзывчивостью, сопоставимой с DRAM. Во втором поколении XL-Flash компания Kioxia удвоила плотность за счёт использования архитектуры MLC (многоуровневая ячейка), позволившей увеличить ёмкость кристалла памяти со 128 Гбит до 256 Гбит. Однако InnoGrit считает, что такую память имеет смысл использовать в конфигурации SLC для ещё более высокой производительности, поскольку в конечном итоге именно это больше всего нужно пользователям подобных накопителей.
Изначально Kioxia позиционировала XL-Flash как конкурента снятой с производства памяти Optane от Intel. Теперь можно с уверенностью сказать, что XL-Flash действительно приходит на смену Optane, предлагая передовые возможности для требовательных корпоративных сред.
tomshardware.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com