Прорыв в полупроводниковых технологиях выведет 6G связь на новый уровень

Полупроводники являются основой сетей нового поколения и цифровых технологий будущего.

Возможность управлять автомобилем без водителя, моментально получать медицинский диагноз, не выходя из дома, или даже ощущать прикосновения близких людей, находящихся на другом конце континента, все еще звучит как фантастика. Однако благодаря новому исследованию команды ученых из Университета Бристоля под руководством профессора Мартина Кубалла, момент, когда такие технологии станут реальностью, стремительно приближается.

Центральным элементом работы стало создание новой архитектуры для усилителей радиочастотного сигнала, которые используют материал с исключительными свойствами — нитрид галлия (GaN). Этот полупроводник уже давно считался перспективным для технологий связи, но на этот раз исследователям удалось раскрыть его потенциал в совершенно новом свете благодаря обнаружению так называемого эффекта защелки (latch-effect), который ранее в подобных устройствах не фиксировался. Именно этот эффект позволил значительно повысить производительность радиочастотных усилителей, сделав их быстрее, мощнее и надежнее.

Для достижения таких результатов команда физиков и инженеров использовала уникальные транзисторы с архитектурой SLCFET (superlattice castellated field effect transistors). У таких устройств есть больше тысячи крошечных «плавников» шириной менее 100 нанометров, через которые проходит ток. Исследователи установили, что именно в самом широком из этих плавников проявляется ключевой эффект защелки, который обеспечивает выдающиеся рабочие характеристики на частотах от 75 до 110 гигагерц — это так называемый W-диапазон, критически важный для развития связи шестого поколения 6G.

Источник: hi-tech.mail.ru

0 0 голоса
Рейтинг новости
1
0
Подписаться
Уведомить о
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии