Отечественная новинка демонстрирует значительные преимущества перед аналогами на основе традиционных полупроводников и открывает возможности для разработки устройств, показывающих особую «живучесть» в экстремальных условиях.
Специалисты РТУ МИРЭА создали конструкцию полевого транзистора на основе алмаза. По словам разработчиков, новинка существенно превосходит традиционные полупроводниковые аналоги по ключевым характеристикам и производительности. Информация о достижении ученых появилась на официальном сайте Десятилетия науки и технологий в России.
Новейший прибор оснащен высококачественным алмазным слоем толщиной меньше 1 микрометра, сформированным с помощью метода термохимического синтеза. Благодаря этому устраняются поверхностные дефекты материала, заметно улучшая электрические свойства устройства.
«Транзистор, как ожидается, сможет продемонстрировать на 10−15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами. Ключевое преимущество — это сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности», — комментирует ведущий разработчик заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» РТУ МИРЭА Андрей Алтухов.
Создание такой технологии особенно важно для эксплуатации в экстремальных средах — начиная космической аппаратурой и заканчивая ядерной энергетикой, поскольку стандартные кремниевые транзисторы там быстро деградируют. Ожидается, что алмазные транзисторы будут востребованы в системах телекоммуникаций следующего поколения, радарах, медицинской технике и промышленном электронном оборудовании.
Источник: hi-tech.mail.ru
