Генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг на конференции GTC заявил, что вендор обозначил дорожную карту своих будущих GPU, которая, кроме архитектуры Rubin, включает транзисторы с круглым, или всесторонним затвором (GAA).
По словам Хуанга, для полупроводниковых узлов это эволюция после архитектуры FinFET. Хуанг ожидает прирост производительности примерно на 20% от перехода на новую архитектуру GAA — Feynman.
Эта технология является ключевой для передовых технологических узлов, таких как 3-нм, и позволяет решить проблему утечки электричества путём вертикального расположения каналов тока и окружения каналов затворами со всех сторон. Благодаря новой архитектуре вендор попытается добиться снижения сопротивления и стабилизации энергопотребления. Как отмечает Techspot, в транзисторах, построенных по технологии GAA, затвор окружает проводящий канал со всех сторон, и это должно минимизировать утечки тока, а также повысить управляемость.
Разумеется, это отразится и на цене продуктов, так как технология дорогостоящая.
Источник: www.ferra.ru
Похожие новости:
Директор NVIDIA заявляет, что внедрение транзисторов со всесторонним затвором может дать 20% прирост производительности
NVIDIA переходит на транзисторы GAA: Хуанг обещает рост производительности на 20%
Уровень «цифровой зрелости» компаний в России выше, чем в среднем по миру
«Слушая подкасты, ничего не узнаешь, ты должен устать, упасть без задних ног — такой должна быть встреча с образованием»