Компания Samsung планирует к 2030 году создать 1000-слойную 3D NAND.
В основе технологии лежит многоуровневая структура «multi-BV», которая позволит преодолеть ограничения классических чипов за счет соединения четырех пластин.
Ключевую роль в этом процессе сыграет технология «wafer bonding», объединяющая кристаллы памяти и периферийные схемы на разных пластинах.
Первый шаг в этом направлении — 10-е поколение NAND (V10), массовое производство которого начнется во II половине 2025 года с 420–430 слоями.
Samsung также сотрудничает с китайской YMTC, которая предложит патент на гибридное соединение пластин. Кроме того, компания планирует использовать холодное травление молибденом и другие технологии, которые помогут преодолеть отметку в 1000 слоев.
Отметим, что в гонке за многослойную память участвует и Kioxia, обещающая выпустить 1000-слойную 3D NAND уже к 2027 году.
Источник: www.ferra.ru
