Micron Technology стала пионером в производстве памяти, представив первые образцы модулей DDR5, изготовленных с использованием 10-нанометрового технологического процесса DRAM шестого поколения, также известного как 1γ (1-гамма). Впервые в истории компании применяется технология EUV-литографии (экстремального ультрафиолетового литографирования), обеспечивающая значительное повышение скорости, энергоэффективности и производительности.
Благодаря этому новому подходу микросхемы Micron DDR5 объёмом 16 ГБ способны работать со скоростью до 9200 МТ/с, при стандартном напряжении 1,1 В, что на 15% выше производительности предыдущего поколения 1β (1-бета). Энергопотребление снижается более чем на 20%, а плотность битов увеличивается более чем на 30%, что может помочь снизить затраты после завершения производственного процесса.
Компания Micron планирует использовать технологию 1γ в широком спектре будущих решений для хранения данных, в том числе в центрах обработки данных, мобильных устройствах и автомобильных системах.
AMD и Intel уже начали тестировать новую линейку памяти Micron DDR5. Амит Гоэл, корпоративный вице-президент AMD по разработке серверных платформ, отметил, что это сотрудничество соответствует усилиям компании по совершенствованию своих процессоров EPYC и ориентированного на потребителя оборудования. Димитриос Зиакас из Intel подчеркнул, что повышенная энергоэффективность и более высокая плотность новых микросхем будут полезны для серверных сред и ПК на базе ИИ.
На данный момент Micron производит эти микросхемы DRAM 1 ГГц на своих предприятиях в Японии, где в 2024 году была представлена первая система EUV-литографии компании. В будущем Micron планирует установить дополнительное EUV-оборудование на своих предприятиях в Японии и на Тайване.
Источник: www.playground.ru
