Intel и TSMC готовятся к запуску своих новых техпроцессов 18A и N2, каждый из которых предлагает значительные технические достижения. По данным TechInsights, Intel 18A может обеспечить более высокую производительность, тогда как TSMC N2 может предложить более высокую плотность транзисторов.
TSMC N2 имеет высокую плотность стандартных транзисторов, оцениваемую в 313 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр, что значительно превышает плотность Intel 18A (238 миллионов) и Samsung SF3 (231 миллион). Однако плотность транзисторов не является единственным критерием. Дизайнеры чипов используют различные комбинации высокой плотности, высокой производительности и низкого энергопотребления.
Техпроцесс Intel 18A может иметь преимущество в производительности по сравнению с TSMC N2 и Samsung SF3, но это лишь оценка на основе предыдущих достижений. Intel использует новую технологию PowerVia для подачи питания сзади, что может улучшить скорость и эффективность. TSMC планирует внедрить подобную технологию в будущем, но N2 ее не поддерживает.
Аналитики ожидают, что чипы на базе N2 будут потреблять меньше энергии по сравнению с чипами на базе SF2, поскольку TSMC традиционно лидирует в области энергоэффективности.
Intel планирует ввести 18A в крупномасштабное производство в середине 2025 года, а первые продукты на базе этой технологии будут доступны к концу года. В свою очередь, TSMC планирует начать крупномасштабное производство N2 в конце 2025 года, а первые продукты на базе этой технологии появятся не ранее середины 2026 года.
techspot.com
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com
Похожие новости:
Правда ли, что лучший смартфон Realme 2025 модельного года лучше Самсунга S24 Ultra начала 2024 года
Intel представляет новые процессоры Core Ultra с производительностью в 2-3 раза выше для AI приложений
Intel представляет новые процессоры Core Ultra с производительностью в 2-3 раза выше для AI-приложений
Вам врут, когда говорят, что китайские смартфоны во всём превзошли iPhone. Вот в чём они конкретно лучше