Исследователи Массачусетского технологического института разработали новый метод создания 3D-чипов, который может произвести прорыв в вычислительной технике. Вместо того чтобы использовать громоздкие кремниевые пластины, инженеры выращивают чередующиеся слои полупроводниковых материалов непосредственно друг на друге при низких температурах. Это устраняет необходимость в толстых подложках.
Традиционные кремниевые 3D-чипы требуют сверления пластин, что ограничивает количество слоев, которые можно укладывать. Прорыв Массачусетского технологического института позволяет избежать этой проблемы.
Исследователи успешно создали многослойный чип, используя два типа двумерных материалов: дисульфид молибдена и диселенид вольфрама. Эти материалы идеально подходят для создания высокопроизводительных транзисторов, что позволяет удвоить плотность чипов.
Источник: www.ferra.ru
Похожие новости:
Сверхпроводящий токамак | Рентген в смартфоне | Теневая камера | Контакты для 2D-чипов
Новая модель нейрона | Ракетный двигатель от ИИ | Российский квантовый процессор | Солнечное топливо
Шумоподавляющая ткань | 6 минут термоядерного синтеза | Лазерная связь в космосе | Вакцина от рака
Криоконсервация мозга | Спутниковый 5G в России | Смена пола эмбриону | Робот-дублёр микрохирургии