Компания SK hynix анонсировала уникальные стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт, состоящие из 16 кристаллов. Эта инновация представляет собой прорыв в архитектуре 16-Hi и открывает новые горизонты для памяти. Концепция «Креативной памяти», предложенная SK hynix, подразумевает использование полупроводников нового поколения, которые обеспечивают мощные вычислительные возможности для выполнения сложных задач.
Новая память HBM3E демонстрирует увеличенную производительность: до 18% в обучении ИИ-моделей и до 32% при обработке данных по сравнению с предыдущими 12-Hi решениями. Это решение, с учётом растущего спроса на ИИ-ускорители, поможет SK hynix укрепить свои позиции на рынке.
Максимальная скорость передачи данных в новых стеках HBM3E достигает 9,2 Гбит/с, обеспечивая пропускную способность свыше 1,2 Тбайт в секунду. Для решения проблемы нехватки памяти SK hynix разрабатывает технологии CXL, которые обеспечивают интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости.
В дополнение к HBM3E компания разрабатывает модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, использующую техпроцесс 1c. SK hynix также планирует интеграцию логики в базовый кристалл памяти HBM4, что позволит создать кастомизированные решения по запросам клиентов.
Стремление компании преодолеть «барьер памяти» реализуется через внедрение технологий с встроенными вычислительными возможностями, такими как Processing near Memory (PNM) и Processing in Memory (PIM). Эти разработки позволят обрабатывать огромные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая общую пропускную способность, открывая новые возможности для ИИ-систем следующего поколения.
Источник: vgtimes.ru
