Samsung планирует существенно увеличить ёмкость и скорость своих SSD-накопителей к 2027 году

Samsung, крупнейший производитель чипов памяти, готовится к новому технологическому рывку. Компания планирует к 2026 году радикально увеличить ёмкость и скорость флеш-памяти V-NAND, используемой в SSD-накопителях, смартфонах и других устройствах. V-NAND – это трёхмерная флеш-память, где ячейки располагаются не на плоскости, а друг над другом, как этажи в небоскрёбе. Чем больше «этажей» — слоёв — тем больше информации можно уместить на одном чипе. Вместо нынешних 280 слоёв в микросхемах будет 400, а к 2027 году — и все 1000. Это позволит создавать более компактные и быстрые накопители с терабайтами доступной памяти.

Для достижения столь впечатляющей плотности записи Samsung откажется от текущей архитектуры CoP (Circuit on Periphery) с периферийными схемами поверх ячеек памяти. Вместо этого будет использоваться технология вертикального соединения кристаллов (Bonding Vertical, BV), напоминающая Xtacking от YMTC и CBA (CMOS Bonded Array) от альянса Kioxia-Western Digital. BV NAND предполагает раздельное производство слоёв памяти и управляющей электроники с последующим их объединением. Этот подход не только увеличит ёмкость, но и снизит риск повреждения микросхем при сборке. По предварительным оценкам, новая технология позволит повысить плотность записи на 60%.

Амбиции Samsung простираются ещё дальше: к 2027 году компания рассчитывает создать V-NAND с тысячей слоёв — это 11-е поколение. Такой скачок увеличит скорость ввода-вывода данных до 50%.

vПомимо флеш-памяти, Samsung работает и над улучшением DRAM. В 2027 году ожидается появление более быстрой и ёмкой памяти, построенной по технологии 0a нм (менее 10 нм) с использованием вертикальных канальных транзисторов (VCT). VCT позволит создавать трёхмерные структуры DRAM, уменьшая взаимное влияние ячеек.

Новый подход к производству V-NAND обещает не просто количественный, но и качественный скачок. Раздельное изготовление слоёв памяти и контроллеров, подобно сборке сложного инженерного сооружения из готовых блоков, позволит добиться небывалой плотности записи, минимизировав при этом технологические риски. В сочетании с грядущими инновациями в области DRAM это открывает интересные перспективы для развития систем хранения данных.

Источник: overclockers.ru