По информации ZDNet, южнокорейская компания Samsung Electronics до сих пор не может победить проблемы, препятствующие началу массовых поставок 12-ярусной памяти HBM3E, удовлетворяющей требованиям NVIDIA. Помимо проблем с базовым кристаллом стека, Samsung сталкивается с дефектами при производстве микросхем DRAM по технологии класса 1α. Конкурирующие SK hynix и Micron довольствуются более зрелой технологией 1β, причём первая ограничивает количество используемых EUV-слоёв одной штукой.
Первоначально Samsung пыталась увеличить количество слоёв микросхем DRAM, используемых в стеке HBM3E, производимых с применением EUV-литографии, с целью снижения себестоимости, но эффект получился обратным, поскольку стабильного качества продукции добиться так и не удалось. Кроме того, в случае с 8-слойными стеками HBM3E выяснилось, что они уступают в скорости передачи информации изделиям конкурента на 10%. Необходимость внести изменения в дизайн микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, отодвинет начало массовых поставок ещё на полгода, и для Samsung это окажется существенным ударом по её конкурентным позициям.
Источник: overclockers.ru
