С появлением 3D NAND около десяти лет назад емкость твердотельных накопителей быстро росла, а цена за ГБ неуклонно снижалась. Именно поэтому в настоящее время подавляющее большинство ПК используют твердотельные накопители. Компания IEEE полагает, что эта тенденция сохранится и в ближайшие годы, увеличивая емкость SSD-накопителей как минимум в четыре раза к 2029 году.
Причина, по которой 3D NAND увеличивает емкость, многогранна. С одной стороны, количество активных слоев NAND увеличилось за эти годы, а с другой стороны, количество бит, хранящихся в одной ячейке памяти NAND, увеличилось с двух до трех (трехуровневая ячейка, TLC) и четырех (четырехуровневая ячейка, QLC). Оба нововведения появились со временем и были тщательно рассчитаны для достижения экономических целей относительно затрат на ТБ.
Устройства памяти QLC NAND емкостью 2 ТБ уже доступны для использования в некоторых распространенных SSD емкостью 2 ТБ, что дает им 2 ТБ свободного места для хранения. Дорожная карта IEEE привязывает устройства 3D NAND емкостью 4 ТБ к 2027 году, что удваивает емкость для распространенных SSD. Затем ожидается, что емкость увеличится в четыре раза в 2029 году, поскольку отрасль переходит на устройства памяти NAND емкостью 8 ТБ. Учитывая это, можно ожидать, что емкость распространенных SSD увеличится в четыре раза к 2028 году, хотя мы и строим предположения.
Что касается количества активных слоев, то мы находимся где-то между 200 и 300 слоями, в зависимости от производителя, но IEEE прогнозирует более 500 к 2027 году. Затем такие компании, как Samsung и SK hynix, предсказывали более 1000 слоев, но уважаемый институт решил не прогнозировать это число.
В отличие от прогнозов по эволюции жестких дисков, новая дорожная карта IEEE International Roadmap for Devices and Systems Mass Data Storage неопределенна относительно того, что должно быть достигнуто в отношении плотности хранения. И количества активных слоев NAND и других архитектур памяти NAND. IEEE даже не называет QLC QLC; он называет его TLC+, возможно, подразумевая возможности, выходящие за рамки даже QLC (4-уровневый заряд), возможно, до 5-уровневого заряженного PLC (пятиуровневая ячейка).
Источник: www.playground.ru
