Компания Samsung сообщила о начале массового производства самого ёмкого и производительного твердотельного накопителя в отрасли. Модель PM9E1 создана на основе 5-нм контроллера и чипов памяти V-NAND восьмого поколения. Новое устройство работает с использованием восьмиканального интерфейса PCIe 5.0, благодаря чему удалось достичь последовательной скорости чтения 14.5 ГБ/с и скорости записи 13 ГБ/с. Рост скорости чтения и записи на носителе почти в два раза превысил эти параметры по сравнению с предыдущим поколением устройства. Благодаря таким скоростям данные объемом 14 ГБ могут быть перенесены всего за 1 секунду. Показатели скорости особенно важны при работе с большими объёмами данных при обучении больших языковых моделей искусственного интеллекта. Новинка будет доступна в трех объёмах — 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ.
Источник: mobile-review.com