Компания Rambus представила свой новый контроллер памяти HBM4, который обещает революционные улучшения в скорости и пропускной способности по сравнению с предшествующими моделями HBM3 и HBM3E. С поддержкой скорости до 10 Гбит/с и стартовой пропускной способностью в 2,56 ГБ/с, этот контроллер ориентирован на нужды искусственного интеллекта и центров обработки данных.
Согласно последним данным, спецификация HBM4 от JEDEC находится на завершающей стадии, и ожидается, что новая память обеспечит скорость более 6,4 Гбит/с на контакт. Это превышает показатели первого поколения HBM3 и обеспечивает более высокую пропускную способность по сравнению с HBM3E, использующим 16-слойные стеки. Начальная пропускная способность HBM4 составит 1,63 ГБ/с, что на 33% больше, чем у HBM3E и в два раза больше, чем у HBM3.
В то время как решения HBM3E достигают максимальных скоростей до 9,6 Гбит/с и обеспечивают пропускную способность до 1,22 ТБ/с, новое поколение HBM4 выводит эти показатели на новый уровень. Также стоит отметить, что новые функции, такие как коррекция ошибок (ECC) и механизмы исправления ошибок (RMW), сделают память более надежной.
SK Hynix уже запустила серийное производство своей 12-слойной памяти HBM3E, в то время как Rambus планирует полное внедрение HBM4 в этом месяце, а Samsung намерена начать массовое производство HBM4 к концу 2025 года.
Источник: vgtimes.ru
