SK Hynix, второй по величине в мире производитель микросхем памяти, объявил о начале массового производства новой версии чипа памяти с высокой пропускной способностью (HBM), в результате чего акции компании в четверг взлетели более чем на 9%.
Южнокорейская компания сообщила, что обновленный чип, первый в мире 12-слойный HBM3E, может похвастаться емкостью 36 гигабайт — на 50% больше, чем предыдущее поколение, — без увеличения физического размера.
SK Hynix намерена поставить обновленные чипы к концу года. Чипы памяти с высокой пропускной способностью, предназначенные для решения задач ИИ, стали играть решающую роль в бурно развивающейся индустрии, пишут СМИ.
Оптимизм поднял другие азиатские акции производителей микросхем, включая Samsung Electronics и Tokyo Electron, которые значительно выросли на торговой сессии в четверг.
Источник: www.ferra.ru
Похожие новости:
GDDR7, 16-слойные чипы памяти и LPDDR5T для смартфонов: SK Hynix анонсировала память нового поколения
Какую оперативную память купить в апреле 2024 года
SK hynix утверждает, что первой начала массовый выпуск памяти типа HBM3E
SK Hynix планирует начать массовое производство памяти GDDR7 в первом квартале 2025 года