Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства своих однотерабитных (Tb) микросхем флеш-памяти NAND с четырёхуровневыми ячейками (QLC) 9-го поколения вертикальной архитектуры NAND (V-NAND).
Запуск массового производства QLC 9-го поколения V-NAND, который следует за первым в отрасли массовым выпуском NAND с трёхуровневыми ячейками (TLC) того же поколения в апреле этого года, укрепляет лидерство Samsung на рынке NAND флеш-памяти с высокой ёмкостью и производительностью.
«Успешный запуск массового производства QLC 9-го поколения V-NAND всего через четыре месяца после версии TLC позволяет нам предложить полный ассортимент передовых SSD-решений, соответствующих требованиям эры искусственного интеллекта», — отметил СонгХой Хур, исполнительный вице-президент и глава подразделения продуктов и технологий Flash в Samsung Electronics. «С ростом рынка корпоративных SSD и увеличением спроса на ИИ-приложения, мы продолжим укреплять своё лидерство в этом сегменте с помощью наших решений на базе QLC и TLC 9-го поколения V-NAND».
Samsung планирует расширять применение QLC 9-го поколения V-NAND, начиная с потребительских продуктов под собственным брендом и расширяя его на мобильные устройства (UFS), ПК и серверные SSD для клиентов, включая поставщиков облачных услуг.
QLC 9-го поколения V-NAND от Samsung объединяет несколько инноваций, которые привели к технологическим прорывам:
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com
Похожие новости:
Какой SSD (накопитель) купить в мае 2024 года
Samsung Electronics начинает первое в отрасли массовое производство V-NAND 9-го поколения
Samsung начинает производство 280-слойной памяти QLC V-NAND 9-го поколения, которая сделает SSD дешевле и более плотными
Kioxia представляет новую флэш-память QLC BiCS NAND емкостью 2 ТБ