Компания Samsung сообщила о начале массового производства памяти QLC V-NAND 9-го поколения. Новая память представлена всего через четыре месяца после выхода памяти TLC. Новая память появится в фирменных потребительских товарах Samsung, на ее основе будет выпущена линейка твердотельных накопителей SSD. Эти решения найдут применение в системах современных облачных сервисов, а также будут использоваться в универсальных флэш-накопителях UFS. Новая память обеспечивает более высокую надежность хранения информации и обладает на 60% более высокой скоростью ввода/вывода данных. При этом отмечается, что новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 50% при записи информации и снижение на 30% при чтении информации. Новое поколение памяти QLC V-NAND обеспечивает самую высокую в отрасли плотность битов, что позволяет добиться роста объема памяти на чипе.
Источник: mobile-review.com
