В пресс-службе Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» сообщили, что ученые центра разработали двумерный магнит, который может значительно улучшить кремниевую электронику. Этот материал, состоящий из нескольких монослоев, включает атомы алюминия и кремния, а также слой атомов гадолиния, придающий магнитные свойства.
Разработка базируется на оригинальном методе синтеза, который позволяет стабилизировать слоистые структуры с точностью до одного монослоя. Это позволяет создавать ультратонкие пленки толщиной от одного до десяти монослоев, что открывает новые возможности для создания материалов в наноэлектронике и спинтронике, отметили в пресс-службе.
Технология интеграции магнита с кремниевой платформой обеспечит улучшение функциональных характеристик электронных устройств, сохраняя их компактность. Новый метод синтеза позволяет создавать ранее неизвестные вещества, что является значительным достижением в дизайне материалов для электроники, добавили в пресс-службе.
Источник: www.ferra.ru
Похожие новости:
Сверхпроводящий токамак | Рентген в смартфоне | Теневая камера | Контакты для 2D-чипов
Шумоподавляющая ткань | 6 минут термоядерного синтеза | Лазерная связь в космосе | Вакцина от рака
Атомная батарейка | Карманный 3D-принтер | Китайский Мега-Коллайдер | Робот-водитель
Новая модель нейрона | Ракетный двигатель от ИИ | Российский квантовый процессор | Солнечное топливо