В начале уходящей недели, как сообщает южнокорейский сайт The Elec, руководящий в SK hynix научными разработками Со Джэ Ук (Seo Jae Wook) признался, что компания всерьёз рассматривает переход на вертикальную компоновку транзисторов в микросхемах DRAM при использовании так называемой EUV-литографии. Планарная компоновка в данном сочетании обходится производителю достаточно дорого, и нужно использовать дополнительные методы повышения плотности размещения транзисторов на кристалле чипа памяти.
Если условно «вытянуть» транзисторы в высоту за счёт перехода к вертикальной структуре, то удастся сократить площадь кристалла на 30%, а в совокупности с использованием EUV себестоимость и вовсе удастся снизить в два раза. Samsung также планирует перейти на подобную структуру транзисторов, но данный шаг потребует от производителей не только использования нового оборудования, но и новых типов материалов. Внедрять нововведения планируется одновременно с переходом на литографические нормы менее 10 нм, примерно через три или четыре года.
Источник: overclockers.ruПохожие новости:
Samsung расширяет применение EUV-литографии
Исследователи видят уголь в качестве металлоксидного изолятора в 2D-транзисторах для процессоров следующего поколения
В прошлом квартале спрос на HBM помог SK hynix достичь максимальной прибыли с 2018 года
TSMC потратит 4 млрд долларов на EUV-машины для 2-нм техпроцесса