Сообщается, что SK hynix разрабатывает 400-слойную флеш-память NAND с планами начать массовое производство к концу 2025 года. Компания сотрудничает с партнерами по цепочке поставок для разработки необходимых технологических процессов и оборудования для 400-слойных и выше микросхем NAND. Эта информация поступила из недавней статьи корейского СМИ etnews со ссылкой на отраслевые источники.
SK hynix намерена использовать для этого технологию гибридного склеивания, которая, как ожидается, привлечет новых поставщиков упаковочных материалов и компонентов в цепочку поставок. Процесс разработки включает исследование новых материалов для соединения и различных технологий для соединения различных пластин, включая полирование, травление, осаждение и соединение. SK hynix стремится подготовить технологию и инфраструктуру к концу следующего года.
SK hynix продемонстрировала 321-слойный образец NAND в августе 2023 года. Чтобы достичь 400 слоев, компания планирует реализовать гибридное соединение со структурой «пластина к пластине» (W2W). Этот подход отличается от их текущего метода «Peripheral Under Cell» (PUC), который размещает ячейки на вершине периферийной зоны управления.
Переход к гибридному соединению направлен на решение проблем с увеличением количества слоев, таких как потенциальное повреждение периферийных устройств во время процесса укладки элементов из-за высокой температуры и давления. Изготовляя ячейки и периферийные устройства на отдельных пластинах перед их склеиванием, SK hynix надеется обеспечить стабильное увеличение количества слоев, защищая периферийные компоненты.
В ответ на вопросы etnews о разработке 400-слойной NAND SK hynix отказалась подтвердить конкретные подробности относительно разработки технологии или сроков массового производства.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com
