Физики из Университета штата Мичиган разработали новый метод анализа материалов, используемый в современных электронных устройствах. Новая методика, описанная в журнале Nature Photonics, объединяет микроскопию высокого разрешения с ультрабыстрыми лазерами. Это позволяет ученым с высокой точностью обнаруживать чужеродные атомы в полупроводниках.
Полупроводники — основа современных электронных устройств, от компьютеров до смартфонов. По мере того, как эти устройства становятся все меньше и сложнее, крайне важно понимать, как именно расположены атомы в материале.
Дефекты, или специально внедренные атомы, играют важную роль в движении электронов внутри полупроводника. Именно поэтому ученым так важно знать их точное расположение. Новая методика сочетает в себе сканирующий туннельный микроскоп (STM) с ультракороткими лазерными импульсами терагерцевой частоты.
Благодаря этой комбинации ученые смогли напрямую наблюдать за поведением дефектных атомов кремния, внедренных в арсенид галлия, который используется в радарах, солнечных батареях и современных телекоммуникационных устройствах.
Похожие новости:
Сверхпроводящий токамак | Рентген в смартфоне | Теневая камера | Контакты для 2D-чипов
Шумоподавляющая ткань | 6 минут термоядерного синтеза | Лазерная связь в космосе | Вакцина от рака
Атомная батарейка | Карманный 3D-принтер | Китайский Мега-Коллайдер | Робот-водитель
Криоконсервация мозга | Спутниковый 5G в России | Смена пола эмбриону | Робот-дублёр микрохирургии