Как и энергонезависимая память NAND, микросхемы оперативной памяти DRAM на следующем этапе своей эволюции начнут расти вверх, увеличивая количество слоёв ради большей плотности хранения обрабатываемых данных. По данным Business Korea, на недавнем симпозиуме VLSI 2024 представители южнокорейской компании SK hynix поделились успехами в освоении выпуска микросхем типа 3D DRAM.
По сути, данный тип памяти компоновочно и с точки зрения технологий производства похож на HBM, а SK hynix как раз является её ведущим поставщиком и лидером рынка с точки зрения эволюции технологий. Сейчас SK hynix уже способна выпускать на экспериментальной линии пятислойные микросхемы 3D DRAM с уровнем выхода годной продукции 56%, и характеристики получаемых чипов в целом сопоставимы с планарными. Проблемы при этом присутствуют — как отмечает SK hynix, получаемые образцы 3D DRAM не могут демонстрировать стабильного быстродействия. В дальнейшем компания рассчитывает наладить массовый выпуск 3D DRAM с количеством слоёв от 32 до 192 штук. Конкурирующая Samsung Electronics намеревается наладить производство подобной памяти в массовых количествах лишь к концу этого десятилетия.
Источник: overclockers.ru
