Изданию Financial Times недавно удалось пообщаться с руководителем SK hynix, отвечающим за уровень выхода годной продукции Квон Чжэ Суном (Kwon Jae-soon), и тот предсказуемо заявил, что для данного корейского производителя при выпуске микросхем HBM3E приоритетом в краткосрочной перспективе остаётся поддержание высокого уровня выхода годной продукции. Компании удалось достичь показателя почти в 80%, что для столь сложных в производстве микросхем с многоярусной компоновкой весьма трудно.
Время производственного цикла при выпуске HBM3E эта компания также сократила на 50%. В условиях активной экспансии производства это важный показатель. При этом SK hynix считает важным в текущем году сосредоточиться на выпуске восьмислойных стеков HBM3E, хотя конкурирующая Samsung рассчитывает начать выпуск 12-слойных стеков HBM3E к концу июня. По словам представителей SK hynix, в настоящий момент клиентами наиболее востребованы именно 8-слойные чипы HBM3E, и низкий уровень брака становится всё более важным критерием, определяющим лидерство на рынке.
Источник: overclockers.ruПохожие новости:
SK hynix утверждает, что первой начала массовый выпуск памяти типа HBM3E
Samsung с сентября начнёт снабжать NVIDIA 12-ярусными стеками HBM3E
Samsung и SK hynix под выпуск HBM переориентировали до 20% мощностей для производства DRAM
В Samsung разработаны первые в отрасли 12-слойные чипы HBM3E ёмкостью 36 Гбайт