Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в сфере передовых технологий памяти, сегодня анонсировала начало массового производства вертикальной NAND-памяти 9-го поколения (V-NAND) с трехуровневыми ячейками (TLC). Этот шаг укрепляет позиции Samsung на рынке флэш-памяти NAND и открывает новые перспективы в развитии высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD), способных удовлетворить потребности будущих приложений.
V-NAND 9-го поколения также оснащен флэш-интерфейсом NAND нового поколения "Toggle 5.1", обеспечивающим увеличенную скорость передачи данных и улучшенное энергопотребление. Планируется, что эти усовершенствования помогут Samsung укрепить свои позиции на рынке SSD и оставаться в числе лидеров в индустрии памяти.
Начало массового производства V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ , лишь первый шаг в планах Samsung. Во второй половине года компания планирует представить модели с четырьмя ячейками (QLC), что дополнительно расширит возможности этой передовой технологии.
Источник: www.playground.ru
Похожие новости:
Исследование: в картах памяти microSD и USB-накопителях нашли контрафактные или неработающие штатно чипы памяти
Слух: Nintendo Switch 2 будет использовать флеш-память Samsung со скоростью до 1,4 ГБ/с
Samsung Electronics запустила опытное производство чипов по 3-нм технологии второго поколения
В следующем месяце Samsung представит 290-слойную память V-NAND