Samsung Electronics начинает первое в отрасли массовое производство V-NAND 9-го поколения

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в сфере передовых технологий памяти, сегодня анонсировала начало массового производства вертикальной NAND-памяти 9-го поколения (V-NAND) с трехуровневыми ячейками (TLC). Этот шаг укрепляет позиции Samsung на рынке флэш-памяти NAND и открывает новые перспективы в развитии высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD), способных удовлетворить потребности будущих приложений.

V-NAND 9-го поколения также оснащен флэш-интерфейсом NAND нового поколения "Toggle 5.1", обеспечивающим увеличенную скорость передачи данных и улучшенное энергопотребление. Планируется, что эти усовершенствования помогут Samsung укрепить свои позиции на рынке SSD и оставаться в числе лидеров в индустрии памяти.

Начало массового производства V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ , лишь первый шаг в планах Samsung. Во второй половине года компания планирует представить модели с четырьмя ячейками (QLC), что дополнительно расширит возможности этой передовой технологии.

Источник: www.playground.ru

0 0 голоса
Рейтинг новости
0
0
Подписаться
Уведомить о
0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии