Samsung объявила о своих планах на выпуск нового поколения памяти HBM4 и подтвердила намерение начать коммерческое производство этой памяти в 2025 году. В настоящее время компания предлагает своим клиентам HBM3e под кодовым названием Shinebolt, который поддерживает до 12 слоев памяти в упаковке 2.5D, объемом до 36 ГБ и скоростью передачи данных до 9,8 Гбит/с..
Следующим шагом будет выпуск нового поколения HBM4. Согласно имеющейся информации, эта память будет поддерживать до 16 слоев, переходя к упаковке 3D и новым технологиям медных соединений между слоями. Это позволит увеличить емкость при увеличении пропускной способности памяти. Samsung уже ведет обсуждения технических особенностей памяти с клиентами и готовится к запуску продаж в 2025 году.
Современные ускорители искусственного интеллекта Nvidia Blackwell B200 используют 192 ГБ памяти HBM3e, в то время как AMD Instinct MI30X оснащены 192 ГБ памяти HBM3. Сообщается, что AMD готовит обновленную серию ускорителей Instinct MI350, которая перейдет на использование HBM3e. На данный момент никто официально не объявил о планах по внедрению HBM4, однако можно предположить, что первыми устройствами с такой памятью станут обновленные ускорители Blackwell.
Источник: www.playground.ru
Похожие новости:
Samsung с сентября начнёт снабжать NVIDIA 12-ярусными стеками HBM3E
TSMC поможет SK hynix освоить выпуск памяти типа HBM4
TDP до 1,2 кВт: компания NVIDIA раскрыла подробности об ускорителях Blackwell
GDDR7, 16-слойные чипы памяти и LPDDR5T для смартфонов: SK Hynix анонсировала память нового поколения