По информации корейских СМИ, Samsung планирует в ближайшем будущем запустить производство нового поколения памяти V-NAND, а именно 9-го поколения. В этом поколении ожидается представление памяти с 290 слоями, которая будет производиться с применением передовых технологий наложения слоев и электрических соединений между ними. На текущий момент производители предлагают решения с максимум 236 слоями. Выпуск V-NAND 9-го поколения позволит Samsung установить новый стандарт в индустрии. Появление такой памяти ожидается уже в следующем месяце.
Компания не собирается останавливаться на достигнутом. Уже ведется работа над 10-м поколением памяти V-NAND, в рамках которого Samsung стремится достичь 430 слоев . Однако ожидается, что данная память появится лишь в следующем году. Похоже, что индустрия памяти NAND вступила в горячую гонку за количество слоев, и пока Samsung уверенно обгоняет своих конкурентов SK Hynix и Kioxia.
Источник: www.playground.ru
Похожие новости:
Samsung покажет 280-слойную флэш-память 3D QLC NAND и 32-гигабитные чипы памяти DDR5-8000 на мероприятии IEEE-SSCC
Ваши ожидания от Galaxy S24 — это ваши проблемы
Из-за экспансии HBM3 у SK hynix осталось меньше денег на расширение производства NAND
Смартфон среднего класса с самым долгим временем работы от аккумулятора в 2024 г.