Корейские СМИ, на которых ссылается популярное издание DigiTimes, сообщили о намерениях Samsung Electronics начать поставки 12-ярусных стеков памяти типа HBM3E для нужд компании NVIDIA с сентября текущего года. Представленная Samsung в этом году, память HBM3E подобной компоновки позволяет разместить в одном стеке 36 Гбайт при равной с 8-ярусным стеком высоте. Скорость передачи информации при этом достигает 1280 Гбайт/с.
По некоторым данным, у SK hynix, которая в целом является главным поставщиком HBM3E для нужд компании NVIDIA, возникли какие-то проблемы с масштабированием производства 12-ярусных стеков HBM3E, хотя образцы таких микросхем для тестирования этот корейский производитель уже предоставил NVIDIA ещё в прошлом месяце. Уверенности в способности Samsung добиться благосклонности NVIDIA добавил и появившийся после GTC 2024 снимок с подложкой с 12-ярусными микросхемами HBM3E производства Samsung, на которой глава последней из компаний расписался под одобрительной резолюцией. Тем самым он мог показать, что 12-ярусные стеки HBM3E прошли сертификацию NVIDIA или сделают это в ближайшее время.
Источник: overclockers.ruПохожие новости:
В Samsung разработаны первые в отрасли 12-слойные чипы HBM3E ёмкостью 36 Гбайт
Micron начала массовое производство памяти HBM3E для ускорителей NVIDIA H200
SK hynix утверждает, что первой начала массовый выпуск памяти типа HBM3E
Samsung предложит память HBM3E объёмом 36 Гбайт на стек уже в этом полугодии