Оставаясь главным поставщиком памяти класса HBM, южнокорейская компания SK hynix воспользовалась анонсом NVIDIA B200 и сопутствующих вычислительных решений для заявления о начале поставок с конца марта микросхем HBM3E, разработку которых она начала всего семь месяцев назад. Соответственно, массовое производство HBM3E компания начала первой в мире, как она утверждает. Это уже пятое поколение микросхем HBM.
При формировании стеков памяти HBM3E этот производитель использует ту самую технологию массового оплавления MR-MUF, которую мечтает освоить и Samsung Electronics. Такой метод формирования изоляции между кристаллами памяти в стеке позволяет снизить механическое давление на них, улучшить условия теплоотвода на 10% и обеспечить стабильный выпуск продукции в условиях массового производства. Память HBM3E в исполнении SK hynix позволяет передавать информацию со скоростью 1,18 Тбайт/с. Подчёркивается, что клиент SK hynix, в котором угадывается NVIDIA, начнёт получать новую память с конца этого месяца.
Источник: overclockers.ruПохожие новости:
Оборот рынка памяти типа HBM вырастет к 2025 году до $5 млрд
Samsung решила последовать примеру SK hynix в сфере технологий упаковки чипов памяти HBM
SK hynix в этом году вложит $1 млрд в расширение бизнеса по упаковке HBM в Южной Корее
GDDR7, 16-слойные чипы памяти и LPDDR5T для смартфонов: SK Hynix анонсировала память нового поколения