По данным опрошенных Reuters аналитиков, в этом году SK hynix будет контролировать более 80% поставок памяти типа HBM3 и более современной для нужд NVIDIA, и во многом это обусловлено способностью данного южнокорейского производителя выпускать чипы памяти с лучшими характеристиками по сравнению с конкурентами. Секрет, по мнению источника, кроется в использовании технологии массовой оплавки с частичным заполнением формы (MR-MUF) при формировании изоляции между слоями памяти в составе микросхем HBM. Помимо прочего, эта технология позволяет повысить эффективность отвода тепловой энергии от микросхемы памяти и снизить рабочую температуру более чем на 10 градусов Цельсия, что критично для условий работы ускорителей вычислений, которые и снабжаются такой памятью.
Компания Samsung Electronics, например, до сих пор использовала технологию термокомпрессионной непроводящей плёнки для создания такой изоляции между слоями памяти в стеке, но она уступает по своим свойствам технологии MUF, применяемой SK hynix с 2021 года. Во-вторых, последней из компаний удаётся получать до 70% годных чипов при производстве HBM3, тогда как у Samsung этот показатель не превышает 20%.
Теперь, как сообщает Reuters, компания Samsung решила последовать примеру SK hynix и начать внедрение нового метода упаковки чипов HBM3 с использованием технологии MUF. Для этого закупается необходимое оборудование и расходные материалы, но в массовых количествах Samsung сможет поставлять созданные с использованием MUF чипы памяти только в следующем году. До тех пор компания будет комбинировать обе технологии на своём конвейере. Подобные усилия Samsung прилагает, чтобы получить заказы NVIDIA на поставку памяти HBM3 и HBM3E для комплектации ускорителей вычислений актуальных поколений. В этом году ёмкость рынка памяти класса HBM на фоне бума систем искусственного интеллекта вырастет более чем вдвое до $9 млрд, как считают аналитики TrendForce.
Источник: overclockers.ru
