Южнокорейская компания Samsung Electronics хоть и является крупнейшим в мире производителем памяти, по степени вовлечённости в бизнес NVIDIA уступает конкурирующей SK hynix, а потому использует любую возможность для напоминания о своём техническом потенциале. На этой неделе Samsung сообщила о завершении разработки микросхем памяти HBM3E в 12-ярусном исполнении ёмкостью по 36 Гбайт.
По сравнению с 8-ярусным стеком HBM3, новая память не только в полтора раза увеличивает объём обрабатываемой информации, но и примерно так же поднимает и скорость передачи информации, до 1280 Гбайт/с. При этом расстояние между слоями памяти удалось сократить до 7 мкм, а потому 12-слойный стек HBM3E имеет такую же высоту, как и 8-слойный HBM3. Поставки образцов такой памяти компания Samsung уже начала, массовое производство будет запущено до конца текущего полугодия.
Источник: overclockers.ruПохожие новости:
В Samsung разработаны первые в отрасли 12-слойные чипы HBM3E ёмкостью 36 Гбайт
Micron начала массовое производство памяти HBM3E для ускорителей NVIDIA H200
Samsung решила последовать примеру SK hynix в сфере технологий упаковки чипов памяти HBM
Samsung разработала 12-стековую память в 36 ГБ для ускорения ИИ-алгоритмов