Южнокорейская производительница микросхем памяти SK Hynix вносит коррективы в свои производственные планы, стратегически перераспределяя ресурсы.
В частности, компания решила замедлить график наращивания производства памяти HBM4 (High Bandwidth Memory четвертого поколения), которая является критически важным компонентом для высокопроизводительных вычислений и ускорителей искусственного интеллекта.
Это решение, вероятно, связано с необходимостью оптимизации исследовательских усилий и повышением приоритета других развивающихся сегментов рынка.
В то же время, SK Hynix ускоряет разработку и производство передовой памяти NAND Flash, объявив о намерении представить 300-слойные чипы NAND. Это значительное достижение в области вертикального масштабирования, которое позволит компании предложить рынку накопители с более высокой плотностью хранения данных и, вероятно, улучшенной энергоэффективностью.
Этот стратегический сдвиг отражает стремление компании балансировать между двумя ключевыми, но различными, направлениями: рынком высокоскоростной оперативной памяти HBM (где доминирует спрос на ИИ) и рынком массового хранения данных NAND Flash.
Павлик Александр
Источник: ru.gecid.com